半導(dǎo)體領(lǐng)域Semiconductor field

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今年會(huì) - jinnianhui | jinnian微電子團(tuán)隊(duì)是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的專門處理微電子半導(dǎo)體領(lǐng)域的專利代理師團(tuán)隊(duì)，專注于微電子半導(dǎo)體領(lǐng)域的專利申請(qǐng)、撰寫、審查意見答復(fù)、專利布局以及專利無效等全方位服務(wù)，處理過大量復(fù)雜、高難度的微電子半導(dǎo)體專利案件，涵蓋了集成電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件制造、芯片封裝測(cè)試、半導(dǎo)體材料研發(fā)等多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。團(tuán)隊(duì)成員均畢業(yè)于國(guó)內(nèi)外知名高校，擁有專業(yè)背景為微電子學(xué)、信息功能能材料與器件、電子信息工程、封裝技術(shù)、材料科學(xué)與技術(shù)、物理學(xué)等領(lǐng)域的專利代理人員32名。其中，80%以上的專利代理師具有五年以上從業(yè)經(jīng)歷，經(jīng)驗(yàn)豐富，對(duì)微電子半導(dǎo)體行業(yè)的前沿技術(shù)、發(fā)展趨勢(shì)以及市場(chǎng)動(dòng)態(tài)有著深入的了解和研究。

近年來，年發(fā)明案量800余件，發(fā)明授權(quán)率75%，復(fù)審?fù)ㄟ^率85%。服務(wù)客戶包括世界百?gòu)?qiáng)企業(yè)、上市公司、科研院所、大學(xué)院校等，技術(shù)領(lǐng)域覆蓋集成電路設(shè)計(jì)、光伏產(chǎn)業(yè)、顯示面板產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體器件制造、芯片封裝測(cè)試、半導(dǎo)體材料研發(fā)、電子電路設(shè)計(jì)、電子封裝技術(shù)、光電信息科學(xué)與工程、信息功能材料與器件、微機(jī)電系統(tǒng)等重要技術(shù)領(lǐng)域。

半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠暾?qǐng)的詳細(xì)信息，您可以咨詢微電子部經(jīng)理   李經(jīng)理     021-51096606-840     lyp@tzjsxf.com  

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• 01

  1、半導(dǎo)體領(lǐng)域的專利技術(shù)涉及材料、物理、電子、光學(xué)、計(jì)算機(jī)等多種學(xué)科，由于行業(yè)發(fā)展迅猛，其專利技術(shù)更新速度快，且通常具有很高的經(jīng)濟(jì)效益。為了保護(hù)和增強(qiáng)公司價(jià)值，半導(dǎo)體領(lǐng)域的專利技術(shù)已成為本領(lǐng)域的兵家必爭(zhēng)之地。自2000年以來，獲得最多專利的主要半導(dǎo)體領(lǐng)域依序?yàn)椋?. 主動(dòng)固態(tài)組件；2. 半導(dǎo)體制程；3. 靜態(tài)信息儲(chǔ)存與檢索；4. 相干光產(chǎn)生器；5. 電子量測(cè)與測(cè)試；6. 各種主動(dòng)式電子非線性組件、電路及系統(tǒng)；7. 電子系統(tǒng)與設(shè)備。近年來公布的專利合作條約(PCT)大約維持在每年2,000件左右。前七大提出PCT申請(qǐng)的公司分別為飛利浦電子、超微(AMD)、IBM、應(yīng)用材料(Applied Materials)、摩托羅拉(Motorola)、英特爾(Intel)與半導(dǎo)體能源實(shí)驗(yàn)室(Semiconductor Energy Laboratory)。自2000年起，半導(dǎo)體、半導(dǎo)體設(shè)備、光學(xué)、涂布與靜態(tài)儲(chǔ)存一直引領(lǐng)著PCT的應(yīng)用方向。飛利浦電子與超微將持續(xù)作為提出PCT的主要公司。半導(dǎo)體能源實(shí)驗(yàn)室則是從2005年開始積極提出PCT。
  

• 02

  2、專利申請(qǐng)的對(duì)象主要分為以下幾種類型：
  （1）電子元器件：如晶體管、存儲(chǔ)器、傳感器、LED照明、光電器件、太陽(yáng)能光伏器件等。
  （2）芯片與系統(tǒng)：如SoC系統(tǒng)級(jí)芯片、MEMS微電子機(jī)械系統(tǒng)等。
  （3）材料與設(shè)備：如SOI、GOI、光電材料、介質(zhì)材料、封裝材料、制程設(shè)備、測(cè)試設(shè)備等。
  （4）制程、工藝方法：如生長(zhǎng)薄膜、摻雜、光刻、刻蝕、制造器件的工藝流程等。
  （5）IC設(shè)計(jì)、模擬方法：如 IC設(shè)計(jì)方法、器件仿真模擬方法、失效分析方法等。
  （6）測(cè)試、驗(yàn)證方法：如 IC、器件量測(cè)方法等。
  

• 01

  本專利的任務(wù)是什么，或要解決的技術(shù)問題是什么？

• 02

  已有產(chǎn)品/方法的不足：即說明與本專利的內(nèi)容最相似的產(chǎn)品/方法，需要說明已有產(chǎn)品的主要結(jié)構(gòu)、原理、實(shí)用效果，或已有工藝、方法的步驟、實(shí)用效果，尤其指出與本專利相比，原有產(chǎn)品/方法存在的缺點(diǎn)或不足之處。如有引用文獻(xiàn)，需要說明出處；如有參考產(chǎn)品，指出其型號(hào)、廠家。對(duì)原有技術(shù)的介紹盡可能詳細(xì)，可附結(jié)構(gòu)原理圖。

• 03

  本專利的內(nèi)容：應(yīng)說明本專利達(dá)到目的或解決問題的技術(shù)手段。包括產(chǎn)品的組成、結(jié)構(gòu)，尤其說明各組成部分之間的相互關(guān)系，例如連接關(guān)系、被作用的工作電流或信號(hào)的走向?；蚬に?、方法的流程步驟，還需說明各步驟涉及的重要工藝參數(shù)（如時(shí)間、溫度等）、重要公式。寫明本專利的工作原理，本專利與現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別點(diǎn)。

• 04

  本專利的效果：有益效果可以由工作性能的提高，制作成本、能量損耗的減少，穩(wěn)定性的增加，操作、控制、使用的簡(jiǎn)便，以及其他有用性能的出現(xiàn)等方面反映出來，對(duì)于工藝、材料的改進(jìn)，還需給出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)加以證明。

• 05

  附圖與說明：產(chǎn)品構(gòu)造或裝置或設(shè)備的圖解，圖應(yīng)以電子制圖或流程圖的標(biāo)準(zhǔn)繪制，而非掃描圖。使專利工作人員可直接在附圖上編輯修改，實(shí)用新型申請(qǐng)必須帶附圖。工藝、方法可提供流程圖。

• 06

  本專利的具體實(shí)施例：對(duì)照附圖，說明本專利的具體實(shí)施方式，必須有詳細(xì)的操作步驟、工作機(jī)理，包括附圖中各具體器件功能介紹、及流程圖中具體各個(gè)流程的功能。最好提供相應(yīng)的技術(shù)參數(shù)、數(shù)據(jù)來具體說明有益效果，可同時(shí)提供原有技術(shù)的參數(shù)數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。